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Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

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Número de pieza:TPN4R303NL,L1Q
Fabricante:Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
Categoría:Productos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Conozca más sobre Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL,L1Q
TPN4R303NL
  • Presupuesto
  • VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 200µA
  • Vgs (Max):±20V
  • Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo:8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Serie:U-MOSVIII-H
  • RDS (Max) @Id, Vgs:4.3 mOhm @ 20A, 10V
  • La disipación de energía (máximo):700mW (Ta), 34W (Tc)
  • embalaje:Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
  • Otros nombres:TPN4R303NLL1QCT
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:14.8nC @ 10V
  • Tipo FET:N-Channel
  • Característica de FET:-
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
  • Descripción detallada:N-Channel 30V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)

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